因此在光刻机上的研发，迫在眉睫。

之前做出22n的光刻机，已经足够让人兴奋的了。

虽然国外的技术超前，但是他们同样不得不在3n的光刻机面前低头。

3n是光刻机的最小工艺极限，或者说是euv光刻机的最小工艺极限。

最根本的原因来自于纳米光子工艺极限性，即使有多种技术来操纵光，euv光刻机的波长极限就是135n。

并且半导体的主要材料是硅，然而硅原子直径大约是012n。

10个硅原子排成一列的程度大约为12n，所以想再突破3n的光刻机，那就涉及到了操纵原子的境界。

或者再重新找到合适的波长，对于euv光刻机，3n是目前的最大极限。

所以即使国外能造出5n的光刻机，对于3n的光刻机也无从下手。

这也是华国最好赶超的时候，大家都做不出来，那就等我们一点一点赶上来。

没想到就在今天，华国直接一跃从22n飞到令国外头疼的3n。

这如何不让人激动！

在他们测试的时候，已经有一队兵哥将研究室围的密不透风，一只苍蝇都别想飞出去。

路过的研究员看到这个场面一惊，这是发生什么事了？

之前22n光刻机项目成功的时候也没有这种阵仗啊。

他们光电所最近也没听说有什么大项目啊？

有的人仔细回想，东拼西凑你一句我一句，终于想起这个研究室是林曦月他们项目。